c面サファイアおよび...

c面サファイアおよびSi(111)基板上への六方晶BN薄膜のCVD成長 (電子デバイス研究会 ディスプレイに関する技術全般 LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイ,並びに照明などの光源に関するデバイス,部品・材料及び応用技術、並びに評価全般)

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c面サファイアおよびSi(111)基板上への六方晶BN薄膜のCVD成長

(電子デバイス研究会 ディスプレイに関する技術全般 LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイ,並びに照明などの光源に関するデバイス,部品・材料及び応用技術、並びに評価全般)

国立国会図書館請求記号
Z43-225
国立国会図書館書誌ID
030250874
資料種別
記事
著者
名嘉眞 朝泰ほか
出版者
東京 : 電気学会
出版年
2020-01
資料形態
掲載誌名
電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2020(1-35):2020.1.23・24
掲載ページ
p.1-4
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
名嘉眞 朝泰
松下 一貴
渡邊 泰良
小南 裕子
原 和彦
並列タイトル等
CVD growth of h-BN thin films on c-plane sapphire and Si (111) substrates
タイトル(掲載誌)
電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
巻号年月日等(掲載誌)
2020(1-35):2020.1.23・24
掲載巻
2020
掲載号
1-35