雑誌Ceramics Japan : bulletin of the Ceramic Society of Japan
巻号54巻11号 2019年11月
記事次世代パワー半導体S...

次世代パワー半導体SiCウェハ技術の開発動向と課題 (特集 パワーエレクトロニクスの最新技術)

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次世代パワー半導体SiCウェハ技術の開発動向と課題

(特集 パワーエレクトロニクスの最新技術)

国立国会図書館請求記号
Z17-206
国立国会図書館書誌ID
031371487
資料種別
記事
著者
加藤 智久
出版者
東京 : 日本セラミックス協会
出版年
2019-11
資料形態
紙
掲載誌名
Ceramics Japan = セラミックス : bulletin of the Ceramic Society of Japan 54(11):2019.11
掲載ページ
p.718-721
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紙

資料種別
記事
タイトル
次世代パワー半導体SiCウェハ技術の開発動向と課題
著者・編者
加藤 智久
シリーズタイトル
特集 パワーエレクトロニクスの最新技術
著者標目
加藤 智久
並列タイトル等
Development Trends and Issues of Next-generation Power semiconductor SiC Wafer Technology
タイトル（掲載誌）
Ceramics Japan = セラミックス : bulletin of the Ceramic Society of Japan
巻号年月日等（掲載誌）
54(11):2019.11
掲載巻
54
掲載号
11