2段階パラメータランピングによる高アスペクト垂直深掘りトレンチの作製

• 資料種別: 記事
• タイトル: 2段階パラメータランピングによる高アスペクト垂直深掘りトレンチの作製
• 著者・編者: 栗山 大成; Eric Lebrasseur; 平川 顕二; 岩瀬 正幸; 小笠原 宗博; 依田 孝; 三田 吉郎
• 著者標目: 栗山 大成; Eric Lebrasseur; 平川 顕二; 岩瀬 正幸; 小笠原 宗博; 依田 孝; 三田 吉郎
• 並列タイトル等: Fabrication of high-aspect vertical deep trench by two-step parameter ramping
• タイトル（掲載誌）: 「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集 電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編]
• 巻号年月日等（掲載誌）: 36:2019.11.19-21
• 掲載巻: 36
• 掲載ページ: 3p
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2019-11
• 出版事項（掲載誌）: [東京] : Institute of Electrical Engineers of Japan
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: シリコン; 深堀エッチング; 高アスペクト; パラメータランピング; Silicon; DRIE (Deep Reactive Ion Etching); High aspect ratio; Parameter ramping
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: YH247-299
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 031475651; http://id.ndl.go.jp/bib/031475651
• 整理区分コード: 632