窒化ガリウムスパッタ...

窒化ガリウムスパッタリングターゲットを用いたSi基板上エピタキシャル成膜と評価

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窒化ガリウムスパッタリングターゲットを用いたSi基板上エピタキシャル成膜と評価

国立国会図書館請求記号
Z17-246
国立国会図書館書誌ID
031891583
資料種別
記事
著者
末本 祐也ほか
出版者
周南 : 東ソー
出版年
2021
資料形態
デジタル
掲載誌名
東ソー研究・技術報告 = Tosoh research & technology review / 東ソー株式会社東ソー研究・技術報告編集委員会 編 65(102):2021
掲載ページ
p.3-10
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
末本 祐也
上岡 義弘
召田 雅実
Liwen SANG
長田 貴弘
知京 豊裕
並列タイトル等
Fabrication and Characterization of Epitaxial Film on Si Substrate with GaN Sputtering Target
タイトル(掲載誌)
東ソー研究・技術報告 = Tosoh research & technology review / 東ソー株式会社東ソー研究・技術報告編集委員会 編
巻号年月日等(掲載誌)
65(102):2021
掲載巻
65
掲載号
102
掲載ページ
3-10