高速電界印加時のドメイン構造変化を利用した高性能PZT薄膜の開発 (特集 Society5.0に貢献する誘電体材料・デバイス研究の新展開)

高速電界印加時のドメイン構造変化を利用した高性能PZT薄膜の開発

(特集 Society5.0に貢献する誘電体材料・デバイス研究の新展開)

掲載誌名: Ceramics Japan = セラミックス : bulletin of the Ceramic Society of Japan 56(7):2021.7

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資料種別: 記事
タイトル: 高速電界印加時のドメイン構造変化を利用した高性能PZT薄膜の開発
著者・編者: 江原祥隆
清水荘雄
舟窪浩
シリーズタイトル: 特集 Society5.0に貢献する誘電体材料・デバイス研究の新展開
著者標目: 江原祥隆
清水荘雄
舟窪浩
並列タイトル等: Development of High-performance PZT Thin Films Utilizing Ferroelastic Domain Switching Induced by Applying a High-speed Electric Field
タイトル（掲載誌）: Ceramics Japan = セラミックス : bulletin of the Ceramic Society of Japan
巻号年月日等（掲載誌）: 56(7):2021.7
掲載巻: 56
掲載号: 7
掲載ページ: 459-462
掲載年月日（W3CDTF）: 2021-07
ISSN（掲載誌）: 0009-031X
ISSN-L（掲載誌）: 0009-031X
出版事項（掲載誌）: 東京 : 日本セラミックス協会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
件名標目: Ferroelectrics
Ferroelastic domain switching
Thin films
NDLC: ZP9
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z17-206
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 031968000
http://id.ndl.go.jp/bib/031968000
整理区分コード: 632