ヘルプ
ヘルプ
雑誌電気学会研究会資料 SP
巻号2023(34-39):2023.11.7
記事SiC-MOSFET...

SiC-MOSFETを用いたモデル低電圧DC遮断器による限流遮断プロセス : 電源電圧100~400V下での測定 (放電・プラズマ・パルスパワー/開閉保護/高電圧合同研究会・雷および高電圧・開閉保護・放電技術全般)

記事を表すアイコン

SiC-MOSFETを用いたモデル低電圧DC遮断器による限流遮断プロセス : 電源電圧100~400V下での測定

(放電・プラズマ・パルスパワー/開閉保護/高電圧合同研究会・雷および高電圧・開閉保護・放電技術全般)

国立国会図書館請求記号
Z43-244
国立国会図書館書誌ID
033206071
資料種別
記事
著者
長谷川 海渡ほか
出版者
東京 : 電気学会
出版年
2023-11-07
資料形態
紙
掲載誌名
電気学会研究会資料. SP = The papers of technical meeting on switching and protecting engineering, IEE Japan / 開閉保護研究会 [編] 2023(34-39):2023.11.7
掲載ページ
p.19-23
すべて見る

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

連携機関・データベースの一覧

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

  • CiNii Research

    検索サービス
    連携先のサイトで、CiNii Researchが連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。
    この本の所蔵を確認

書誌情報

この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。

紙

資料種別
記事
タイトル
SiC-MOSFETを用いたモデル低電圧DC遮断器による限流遮断プロセス : 電源電圧100~400V下での測定
著者・編者
長谷川 海渡
横水 康伸
岩田 幹正
兒玉 直人
シリーズタイトル
放電・プラズマ・パルスパワー/開閉保護/高電圧合同研究会・雷および高電圧・開閉保護・放電技術全般
著者標目
長谷川 海渡
横水 康伸
岩田 幹正
兒玉 直人
並列タイトル等
Direct Current limitation and interruption with model low-voltage circuit breaker constructed of SiC-MOSFET : Measurement for source voltage of 100 to 400 V
タイトル（掲載誌）
電気学会研究会資料. SP = The papers of technical meeting on switching and protecting engineering, IEE Japan / 開閉保護研究会 [編]
巻号年月日等（掲載誌）
2023(34-39):2023.11.7
掲載巻
2023
掲載号
34-39