プラズマCVD法によ...

プラズマCVD法によるシリコン系薄膜の成長 : 気相・表面・膜中の反応と薄膜の高品質化 (特集 プラズマが誘起する表面反応の制御による膜作製)

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プラズマCVD法によるシリコン系薄膜の成長 : 気相・表面・膜中の反応と薄膜の高品質化(特集 プラズマが誘起する表面反応の制御による膜作製)

国立国会図書館請求記号
Z16-474
国立国会図書館書誌ID
033346026
資料種別
記事
著者
布村 正太ほか
出版者
東京 : 日本表面科学会 ; 2018-
出版年
2024-02
資料形態
掲載誌名
表面と真空 = Vacuum and surface science / 日本表面科学会, 日本真空学会 編 67(2):2024.2
掲載ページ
p.44-51
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
布村 正太
近藤 道雄
並列タイトル等
Thin-film Silicon Growth by Plasma-enhanced CVD : Gas-phase, Surface and In-film Reactions for High-quality Film Formation
タイトル(掲載誌)
表面と真空 = Vacuum and surface science / 日本表面科学会, 日本真空学会 編
巻号年月日等(掲載誌)
67(2):2024.2
掲載巻
67
掲載号
2