偏光観察によるパワーデバイスSiC基板の結晶欠陥可視化

• 資料種別: 記事
• タイトル: 偏光観察によるパワーデバイスSiC基板の結晶欠陥可視化
• 著者・編者: 原田 俊太; 村山 健太
• 著者標目: 原田 俊太; 村山 健太
• 並列タイトル等: Polarized Light Observation for Visualization of Crystalline Defects in SiC Wafers for Power Device Applications
• タイトル（掲載誌）: まてりあ = Materia Japan
• 巻号年月日等（掲載誌）: 63(10):2024.10
• 掲載巻: 63
• 掲載号: 10
• 掲載ページ: 687-694
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2024-10
• ISSN（掲載誌）: 1340-2625
• ISSN-L（掲載誌）: 1340-2625
• 出版事項（掲載誌）: 仙台 : 日本金属学会 ; 1994-
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: SiC; GaN; compound semiconductor; crystalline defect; dislocation; power device; polarized light observation
• NDLC: ZP41
• 対象利用者: 一般
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z17-313
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 033770943; http://id.ndl.go.jp/bib/033770943
• 整理区分コード: 632