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パワーモジュールにおける多並列SiC-MOSFETの寄生発振解析技術 (電子デバイス/半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・電力変換器とその制御)

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パワーモジュールにおける多並列SiC-MOSFETの寄生発振解析技術

(電子デバイス/半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・電力変換器とその制御)

国立国会図書館請求記号
Z43-243
国立国会図書館書誌ID
033852973
資料種別
記事
著者
竹田 駿ほか
出版者
東京 : 電気学会
出版年
2024-11-14
資料形態
掲載誌名
電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編] 2024(178-194):2024.11.14
掲載ページ
p.25-28
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
竹田 駿
河野 洋志
三宅 英太郎
井口 知洋
大橋 輝之
小谷 和也
並列タイトル等
Parasitic Oscillation Analysis of Multi-Parallel SiC-MOSFETs in Power Modules
タイトル(掲載誌)
電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編]
巻号年月日等(掲載誌)
2024(178-194):2024.11.14
掲載巻
2024
掲載号
178-194