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パワーモジュールにお...

パワーモジュールにおける多並列SiC-MOSFETの寄生発振解析技術 (電子デバイス/半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・電力変換器とその制御)

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パワーモジュールにおける多並列SiC-MOSFETの寄生発振解析技術

(電子デバイス/半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・電力変換器とその制御)

Call No. (NDL)
Z43-243
Bibliographic ID of National Diet Library
033852973
Material type
記事
Author
竹田 駿ほか
Publisher
東京 : 電気学会
Publication date
2024-11-14
Material Format
Paper
Journal name
電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編] 2024(178-194):2024.11.14
Publication Page
p.25-28
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
竹田 駿
河野 洋志
三宅 英太郎
井口 知洋
大橋 輝之
小谷 和也
Alternative Title
Parasitic Oscillation Analysis of Multi-Parallel SiC-MOSFETs in Power Modules
Periodical title
電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編]
No. or year of volume/issue
2024(178-194):2024.11.14
Volume
2024
Issue
178-194