依頼講演レベル可変ワード線ドライバを用いてプロセスばらつき耐性を向上した40nm CMOSプロセス0.179μm[2]セル2電源SRAM (集積回路)

依頼講演レベル可変ワード線ドライバを用いてプロセスばらつき耐性を向上した40nm CMOSプロセス0.179μm[2]セル2電源SRAM

(集積回路)

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資料種別: 記事
タイトル: 依頼講演レベル可変ワード線ドライバを用いてプロセスばらつき耐性を向上した40nm CMOSプロセス0.179μm[2]セル2電源SRAM
著者・編者: 藤村勇樹
平林修
川澄篤他
シリーズタイトル: 集積回路
著者標目: 藤村勇樹
平林修
川澄篤
並列タイトル等: A process-variation-tolerant dual-power-supply SRAM with 0.179μm[2] cell in 40nm CMOS using level-programmable wordline driver
タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）: 109(2) 2009.4.13・14
掲載巻: 109
掲載号: 2
掲載ページ: 21～26
掲載年月日（W3CDTF）: 2009-04
ISSN（掲載誌）: 0913-5685
ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
件名標目: 高密度SRAM
2電源
ワード線ドライバ
High-Density SRAM
Dual-Power-Supply
Wordline Driver
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: ICD2009-5
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-940
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 10220129
http://id.ndl.go.jp/bib/10220129
整理区分コード: 632