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雑誌
電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号
109(15)-109(25):2009.4.23-2009.5.15
記事
Ga2O3薄膜の作製...
Ga2O3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価 (電子デバイス)
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Ga2O3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価
(電子デバイス)
国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
10247271
資料種別
記事
著者
茅野 真也ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2009-05
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109(23) 2009.5.14・15
掲載ページ
p.17~20
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書誌情報
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書誌情報を出力
紙
資料種別
記事
タイトル
Ga2O3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価
著者・編者
茅野 真也
堀内 郁志
以西 雅章
シリーズタイトル
電子デバイス
著者標目
茅野 真也
堀内 郁志
以西 雅章
並列タイトル等
Preparation of Ga2O3 films and evaluation of oxygen sensing properties
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
109(23) 2009.5.14・15
掲載巻
109
掲載号
23
掲載ページ
17~20
掲載年月日(W3CDTF)
2009-05
ISSN(掲載誌)
0913-5685
ISSN-L(掲載誌)
0913-5685
出版事項(掲載誌)
東京 : 電子情報通信学会
出版地(国名コード)
JP
本文の言語コード
jpn
件名標目
酸化ガリウム
金属酸化物
マグネトロンスパッタリング法
急速アニール
酸素センサ
Gallium oxide
Metal oxides
Magnetron sputtering method
Rapid thermal annealing
RTA
Oxygen sensor
NDLC
ZN33
対象利用者
一般
レポート番号(雑誌記事)
ED2009-21
所蔵機関
国立国会図書館
請求記号
Z16-940
連携機関・データベース
国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID(NDLBibID)
10247271
http://id.ndl.go.jp/bib/10247271
整理区分コード
632
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