Formation and application of InP porous structures on p-n substrates

• 資料種別: 記事
• タイトル: Formation and application of InP porous structures on p-n substrates
• 著者・編者: Taketomo Sato; Naoki Yoshizawa; Hiroyuki Okazaki 他
• シリーズタイトル: Electron devices
• 著者標目: Taketomo Sato; Naoki Yoshizawa; Hiroyuki Okazaki
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 109(97) 2009.6.24-26
• 掲載巻: 109
• 掲載号: 97
• 掲載ページ: 117～120
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2009-06
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: Electrochemical Process; Porous Structure; Indium Phosphide; p-n junction
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2009-76
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 10274903; http://id.ndl.go.jp/bib/10274903
• 整理区分コード: 632