ナノスケールMOSデ...

ナノスケールMOSデバイスにおける界面物性の揺らぎ--界面トラップ1個1個を検出して評価する (情報化社会を支えるシリコンLSI--信頼性とばらつきの物理)

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ナノスケールMOSデバイスにおける界面物性の揺らぎ--界面トラップ1個1個を検出して評価する(情報化社会を支えるシリコンLSI--信頼性とばらつきの物理)

国立国会図書館請求記号
Z15-243
国立国会図書館書誌ID
10339198
資料種別
記事
著者
土屋 敏章
出版者
東京 : 応用物理学会
出版年
2009-09
資料形態
掲載誌名
応用物理 78(9) 2009.9
掲載ページ
p.868~872
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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
土屋 敏章
著者標目
並列タイトル等
Fluctuation of interface properties in nanoscale MOS devices: characterization of individual interface traps
タイトル(掲載誌)
応用物理
巻号年月日等(掲載誌)
78(9) 2009.9
掲載巻
78
掲載号
9