4H-SiC(0001) basal plane stability during the growth of epitaxial graphene on inverted-mesa structures (Selected topics in applied physics: Technology, physics, and modeling of graphene devices)

4H-SiC(0001) basal plane stability during the growth of epitaxial graphene on inverted-mesa structures

(Selected topics in applied physics: Technology, physics, and modeling of graphene devices)

国立国会図書館請求記号: Z53-A375
国立国会図書館書誌ID: 11171719

資料種別: 記事

著者: Shoji Ushioほか

出版者: Tokyo : The Japan Society of Applied Physics

出版年: 2011-07

資料形態: 紙

掲載誌名: Japanese journal of applied physics : JJAP 50(7) (1) 2011.7

掲載ページ: p.070104-1～5

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紙

資料種別: 記事
タイトル: 4H-SiC(0001) basal plane stability during the growth of epitaxial graphene on inverted-mesa structures
著者・編者: Shoji Ushio
Yasunori Kutsuma
Arata Yoshii 他
シリーズタイトル: Selected topics in applied physics: Technology, physics, and modeling of graphene devices
著者標目: Shoji Ushio
Yasunori Kutsuma
Arata Yoshii
タイトル（掲載誌）: Japanese journal of applied physics : JJAP
巻号年月日等（掲載誌）: 50(7) (1) 2011.7
掲載巻: 50
掲載号: 7
その他巻次: 1
掲載ページ: 070104-1～5
掲載年月日（W3CDTF）: 2011-07
ISSN（掲載誌）: 0021-4922
ISSN-L（掲載誌）: 0021-4922
出版事項（掲載誌）: Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
NDLC: ZM35
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z53-A375
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 11171719
http://id.ndl.go.jp/bib/11171719
整理区分コード: 632