シリコン基板上窒化物...

シリコン基板上窒化物半導体の高品質化に関する研究

記事を表すアイコン

シリコン基板上窒化物半導体の高品質化に関する研究

国立国会図書館請求記号
Z74-B826
国立国会図書館書誌ID
11268952
資料種別
記事
著者
澤木 宣彦ほか
出版者
豊田 : 愛知工業大学総合技術研究所
出版年
2011-09
資料形態
掲載誌名
愛知工業大学総合技術研究所研究報告 / 研究報告編集委員会 編 (13) 2011.9
掲載ページ
p.19~22
すべて見る

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

  • CiNii Research

    検索サービス
    連携先のサイトで、CiNii Researchが連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

資料種別
記事
著者・編者
澤木 宣彦
岩田 博之
川北 将吾 他
並列タイトル等
Growth of high quality 3-nitrides on silicon substance
タイトル(掲載誌)
愛知工業大学総合技術研究所研究報告 / 研究報告編集委員会 編
巻号年月日等(掲載誌)
(13) 2011.9
掲載号
13
掲載ページ
19~22
掲載年月日(W3CDTF)
2011-09