Characterization of Defects in Liquid Phase Epitaxial InP and InGaAsP Crystals by Scanning Electron Microscopy and Electron Beam Induced Current Method

出版者: Oxford : Published for the Japanese Society of Electron Microscopy by Oxford University Press

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資料種別: 記事
タイトル: Characterization of Defects in Liquid Phase Epitaxial InP and InGaAsP Crystals by Scanning Electron Microscopy and Electron Beam Induced Current Method
著者・編者: Osamu Ueda 他
著者標目: Osamu Ueda
タイトル（掲載誌）: Journal of electron microscopy
巻号年月日等（掲載誌）: 33(1) 1984
掲載巻: 33
掲載号: 1
掲載ページ: p1～9
掲載年月日（W3CDTF）: 1984
ISSN（掲載誌）: 0022-0744
出版事項（掲載誌）: Oxford : Published for the Japanese Society of Electron Microscopy by Oxford University Press
出版地（国名コード）: GB
本文の言語コード: eng
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
記事種別、記事分類: 記事分類: 物理学--分子・物性--半導体
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z53-T76
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 2991917
http://id.ndl.go.jp/bib/2991917
整理区分コード: 632