低周波(200kHz)CH4プラズマによるa-C:Hの成膜
図書館・個人送信サービスを利用する
収録元データベースで確認する
国立国会図書館デジタルコレクション
国立国会図書館の登録利用者（本登録）の方を対象とした、個人送信サービスで閲覧可能です。ただし、日本国外に居住している場合は、個人送信サービスを利用できません。
全国の図書館の所蔵
国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。
所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください
書誌情報
この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。
- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- 大谷 義和六倉 信喜
- タイトル（掲載誌）
- 東京電機大学工学部研究報告 / 東京電機大学工学部 編
- 巻号年月日等（掲載誌）
- (通号 42) 1994.12
- 掲載通号
- 42
- 掲載ページ
- p29～36
- 掲載年月日（W3CDTF）
- 1994-12
- ISSN（掲載誌）
- 0389-617X