巻号(42)
低周波(200kHz...

低周波(200kHz)CH4プラズマによるa-C:Hの成膜

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低周波(200kHz)CH4プラズマによるa-C:Hの成膜

国立国会図書館請求記号
Z16-312
国立国会図書館書誌ID
3627875
資料種別
記事
著者
大谷 義和ほか
出版者
東京 : 東京電機大学工学部
出版年
1994-12
資料形態
デジタル
掲載誌名
東京電機大学工学部研究報告 / 東京電機大学工学部 編 (通号 42) 1994.12
掲載ページ
p.p29~36
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
大谷 義和
六倉 信喜
タイトル(掲載誌)
東京電機大学工学部研究報告 / 東京電機大学工学部 編
巻号年月日等(掲載誌)
(通号 42) 1994.12
掲載通号
42
掲載ページ
p29~36
掲載年月日(W3CDTF)
1994-12
ISSN(掲載誌)
0389-617X