雑誌静岡大学電子工学研究所研究報告
巻号28(1)-30(2) 19930800-19960300
記事InSb結晶上へのI...

InSb結晶上へのInGaSbBiバルク混晶成長-1-

記事を表すアイコン

InSb結晶上へのInGaSbBiバルク混晶成長-1-

国立国会図書館請求記号
Z16-297
国立国会図書館書誌ID
3850848
資料種別
記事
著者
早川 泰弘 他
出版者
浜松 : 静岡大学電子工学研究所
出版年
1993
資料形態
紙
掲載誌名
静岡大学電子工学研究所研究報告 28(1) 1993
掲載ページ
p.p7～20
すべて見る

資料詳細

要約等：

記事分類: 電気工学--電子工学--電子部品--固体素子（提供元: CiNii Research）

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

連携機関・データベースの一覧

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

  • CiNii Research

    検索サービス
    紙
    連携先のサイトで、CiNii Researchが連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。
    この本の所蔵を確認

書誌情報

この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。

紙

資料種別
記事
タイトル
InSb結晶上へのInGaSbBiバルク混晶成長-1-
著者・編者
早川 泰弘 他
著者標目
早川 泰弘
タイトル（掲載誌）
静岡大学電子工学研究所研究報告
巻号年月日等（掲載誌）
28(1) 1993
掲載巻
28
掲載号
1
掲載ページ
p7～20
掲載年月日（W3CDTF）
1993