静岡大学電子工学研究所研究報告

• 資料種別: 雑誌
• タイトル: 静岡大学電子工学研究所研究報告
• タイトルよみ: シズオカ ダイガク デンシ コウガク ケンキュウジョ ケンキュウ ホウコク
• 巻次・部編番号: 28(1)-30(2) 19930800-19960300
• 著者標目: 静岡大学電子工学研究所 シズオカ ダイガク デンシ コウガク ケンキュウジョ
• 出版事項: 浜松 : 静岡大学電子工学研究所
• 出版年月日等: 1993-1996
• 出版年（W3CDTF）: 1993-1996
• 刊行巻次・年月次: 1巻1号 (1966)-v. 30, no. 3(1995) ; 31巻 (1996)-38巻 (2003)
• 大きさ: 30cm
• 並列タイトル等: Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University
• ISSN（掲載誌）: 0286-3383
• ISSN-L（掲載誌）: 0286-3383
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn; eng
• NDLC: ZN33
• 一般注記: 本タイトル等は最新号による; v. 30, no. 3の本タイトル: Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University; 刊行頻度, 大きさの変更あり
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-297
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000009920; http://id.ndl.go.jp/bib/000000009920
• 目録規則: 日本目録規則1987年版改訂版

目次

Photoluminescent Properties of a-SiC--H Films Deposited by Organosilanes in Remote H2 Plasma

rfマグネトロンスパッタリングによる酸化亜鉛薄膜の成膜速度

yo-yo溶質供給法によるGeSiバルク混晶の成長

高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH4)2Sx処理GaAs(001),(111)A,(111)B表面の研究

スパッタ法によるTiO2膜の作製とEC特性

超音波振動導入チョクラルスキー法で引上げたInxGal-xSb混晶中のボイド

LPD法による有機色素分子のシリカ中への固定化と分光学的特性評価

ZnS:Tm薄膜ELの電荷補償と発光特性

エレクトロクロミックWO3スパッタ膜の赤外吸収スペクトル

高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH4)2Sx処理InP(001)表面の研究

InSb結晶中へのGa混入機構

高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH4)2Sx処理InAs(001)表面の研究

スパッタ法により作製した酸化ニッケル膜のアニオン注入によるEC着色現象

電子顕微鏡法による反応焼結窒化珪素の生成過程の解析

白色発光SrSe:Ce/ZnS:Mn多層薄膜のEL特性

Si表面におけるターシャリブチルホスフィン(TBP)の吸着と分解過程の研究

高純度GaInAsSb/InAs液相エピタキシャル層の電気的特性

GaP基板上GaAs層のGaAsPへの組成変換

有機溶液中におけるイオン性トリフェニルメタン系色素の逆フォトクロミズム

InSb結晶上へのInGaSbBiバルク混晶成長-1-

GaAs/GaP(001)ヘテロ成長における成長モード遷移

Photochemical and Photophysical Properties of Ion-pair Charge-Transfer Complexes with Potential Optical Applications

SOI構造の光学的評価

Ge/GaAs連続液相エピタキシャル成長--GaAs静電誘導サイリスタの実現をめざして

InAs基板上の液相エピタキシャルGa1-xInxAs1-ySby層の光学的性質

精密温度制御によるInGaSb三元バルク単結晶成長

高感度光導波路偏光測定法による光応答性有機薄膜の分子配向解析

LPE法による3-5族化合物半導体混晶の成長および溶解に関するSolid-Liquid Diffusion Modelによる解析-1-

Variation of Stress and Hardness of a-Sic:H Films with Film Composition

経験的誘電関数による非晶質材料の分光エリプソメトリ解析