放射光を用いた高エネ...

放射光を用いた高エネルギーX線光電子分光法によるSi(100)酸化薄膜の深さ方向分析

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放射光を用いた高エネルギーX線光電子分光法によるSi(100)酸化薄膜の深さ方向分析

国立国会図書館請求記号
Z17-9
国立国会図書館書誌ID
3926249
資料種別
記事
著者
山本 博之ほか
出版者
東京 : 日本分析化学会
出版年
1996-02
資料形態
デジタル
掲載誌名
分析化学 / 日本分析化学会 編 45(2) 1996.02
掲載ページ
p.169~174
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資料詳細

要約等:

X線光電子分光法(XPS)における分析深さは,光電子の平均自由行程に依存する.光電子の平均自由行程はその運動エネルギーによって決まることから,放射光のようなエネルギー可変の励起源を用いた場合,分析深さは励起エネルギーに伴って変化する.これらの関係から,放射光を励起源として用いることによって,従来困難...

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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
山本 博之
馬場 祐治
佐々木 貞吉
タイトル(掲載誌)
分析化学 / 日本分析化学会 編
巻号年月日等(掲載誌)
45(2) 1996.02
掲載巻
45
掲載号
2
掲載ページ
169~174
掲載年月日(W3CDTF)
1996-02