Profiling Ge islands in Si by large angle convergent beam electron diffraction

出版者: Oxford : Published for the Japanese Society of Electron Microscopy by Oxford University Press

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資料種別: 記事
タイトル: Profiling Ge islands in Si by large angle convergent beam electron diffraction
著者・編者: D. Cherns
A. Hovsepian
W. Jager
著者標目: D. Cherns
A. Hovsepian
W. Jager
タイトル（掲載誌）: Journal of electron microscopy
巻号年月日等（掲載誌）: 47(3) 1998.06
掲載巻: 47
掲載号: 3
掲載ページ: 211～215
掲載年月日（W3CDTF）: 1998-06
ISSN（掲載誌）: 0022-0744
出版事項（掲載誌）: Oxford : Published for the Japanese Society of Electron Microscopy by Oxford University Press
出版地（国名コード）: GB
本文の言語コード: eng
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z53-T76
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 4538462
http://id.ndl.go.jp/bib/4538462
整理区分コード: 632