Selective Area Growth of GaN on Si Substrate Using SiO2 Mask by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
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CiNii Research
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書誌情報
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- 資料種別
- 記事
- タイトル
- 著者・編者
- Yasutoshi KawaguchiYoshio HondaHidetaka Matsushima 他
- タイトル（掲載誌）
- Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters
- 巻号年月日等（掲載誌）
- 37(8B) 1998.08
- 掲載巻
- 37
- 掲載号
- 8B
- 掲載ページ
- L966～969
- 掲載年月日（W3CDTF）
- 1998-08