プラズマ発光分光分析によるGaN電子サイクロトロン共鳴プラズマ励起分子線エピタキシャル成長の観察

• 資料種別: 記事
• タイトル: プラズマ発光分光分析によるGaN電子サイクロトロン共鳴プラズマ励起分子線エピタキシャル成長の観察
• 著者・編者: 千葉 恭男; 冨成 達也; 名西 〔ヤス〕之
• 著者標目: 千葉 恭男; 冨成 達也; 名西 〔ヤス〕之
• タイトル（掲載誌）: 真空 = Journal of the Vacuum Society of Japan
• 巻号年月日等（掲載誌）: 42(4) 1999.04
• 掲載巻: 42
• 掲載号: 4
• 掲載ページ: 530～534
• 掲載年月日（W3CDTF）: 1999-04
• ISSN（掲載誌）: 0559-8516
• ISSN-L（掲載誌）: 0559-8516
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 日本真空協会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• NDLC: ZN15
• 対象利用者: 一般
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-474
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 4750737; http://id.ndl.go.jp/bib/4750737
• 整理区分コード: 632

• 要約等: We observed excited species near a substrate during GaN growth by optical emission spectroscopy (OES). Both GaN growth rate and excited Ga emission intensity were studied by varying substrate bias conditions. Decrease in Ga emission intensity under high positive bias condition can be explained by suppression of Ga desorption. Thus, OES is considered to be a useful tool to understand GaN growth mechanism in ECR plasma-excited MBE.<BR>We also demonstrated GaN growth using helium-nitrogen mixed gas plasma. It was found that, compared with the GaN growth using nitrogen plasma without helium, the GaN growth rate was increased by using the mixed gas plasma.
• DOI: 10.3131/jvsj.42.530
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 連携機関・データベース: 科学技術振興機構 : J-STAGE; http://www.jstage.jst.go.jp

• 要約等: We observed excited species near a substrate during GaN growth by optical emission spectroscopy (OES). Both GaN growth rate and excited Ga emission intensity were studied by varying substrate bias conditions. Decrease in Ga emission intensity under high positive bias condition can be explained by suppression of Ga desorption. Thus, OES is considered to be a useful tool to understand GaN growth mechanism in ECR plasma-excited MBE.<BR>We also demonstrated GaN growth using helium-nitrogen mixed gas plasma. It was found that, compared with the GaN growth using nitrogen plasma without helium, the GaN growth rate was increased by using the mixed gas plasma.
• DOI: 10.3131/jvsj.42.530; https://doi.org/10.3131/jvsj.42.530
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 関連情報（URI）: http://id.ndl.go.jp/bib/4750737; https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I4750737
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research; https://cir.nii.ac.jp/
• 提供元機関・データベース: Japan Link Center; https://japanlinkcenter.org/top; 雑誌記事索引データベース; https://ndlsearch.ndl.go.jp; Crossref; https://www.crossref.org; CiNii Articles
• 書誌ID（NDLBibID）: 4750737; http://id.ndl.go.jp/bib/4750737
• NII論文ID: 10002476985