Selective Growth of GaN/AlGaN Microstructures by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (Quantum Dot Structures)

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Selective Growth of GaN/AlGaN Microstructures by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy(Quantum Dot Structures)

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
5748065
資料種別
記事
著者
Tomonobu Katoほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
2001-03
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 40(3B) (通号 536) (増刊) 2001.3
掲載ページ
p.1896~1898
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資料詳細

要約等:

A GaN/AlGaN double heterostructure was fabricated on the (1101) facets of a GaN triangular structure prepared by selective area growth by metalorganic...

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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
Tomonobu Kato
Yoshio Honda
Yasutoshi Kawaguchi 他
シリーズタイトル
タイトル(掲載誌)
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等(掲載誌)
40(3B) (通号 536) (増刊) 2001.3
掲載巻
40
掲載号
3B
掲載通号
536