SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるPoly-Si薄膜の結晶性

• 資料種別: 記事
• タイトル: SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるPoly-Si薄膜の結晶性
• 著者・編者: 田口 亮平; 阿部 寿; 河本 直哉 他
• シリーズタイトル: 低温ポリSi TFTと有機EL技術
• 著者標目: 田口 亮平; 阿部 寿; 河本 直哉
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 101(14) 2001.4.19
• 掲載巻: 101
• 掲載号: 14
• 掲載ページ: 15～18
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2001-04-19
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: ELA; 再結晶化; 水素; poly-Si film; recrystallization; hydrogens
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2001-3
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 5775310; http://id.ndl.go.jp/bib/5775310
• 整理区分コード: 632