雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
Volume number101(11)-101(19) 20010400-20010400
ArticleSiN薄膜上に形成さ...

SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるPoly-Si薄膜の結晶性 (低温ポリSi TFTと有機EL技術)

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SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるPoly-Si薄膜の結晶性

(低温ポリSi TFTと有機EL技術)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
5775310
Material type
記事
Author
田口 亮平ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2001-04-19
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 101(14) 2001.4.19
Publication Page
p.15～18
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Paper

Material Type
記事
Title
SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるPoly-Si薄膜の結晶性
Author/Editor
田口 亮平
阿部 寿
河本 直哉 他
Series Title
低温ポリSi TFTと有機EL技術
Author Heading
田口 亮平
阿部 寿
河本 直哉
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
101(14) 2001.4.19
Volume
101
Issue
14
Pages
15～18