招待論文 AlGaN混晶の高品質化とデバイス応用

• 資料種別: 記事
• タイトル: 招待論文 AlGaN混晶の高品質化とデバイス応用
• 著者・編者: 岩谷 素顕; 佐野 智昭; 寺尾 真二 他
• シリーズタイトル: 結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子材料,太陽電池,高耐圧素子等) 小特集:3族窒化物研究の最前線
• 著者標目: 岩谷 素顕; 佐野 智昭; 寺尾 真二
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 102(80) 2002.5.23
• 掲載巻: 102
• 掲載号: 80
• 掲載ページ: 1～8
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2002-05-23
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 低温AlN中間層; 転位; 横方向成長; 顕微-PL; 紫外LED; LT-AlN interlayer; dislocation; lateral growth; μ-PL; UV-LED
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SDM2002-13
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 6188270; http://id.ndl.go.jp/bib/6188270
• 整理区分コード: 632