招待論文 AlGaN混晶の高品質化とデバイス応用 (結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子材料,太陽電池,高耐圧素子等) 小特集:3族窒化物研究の最前線)

招待論文 AlGaN混晶の高品質化とデバイス応用

(結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子材料,太陽電池,高耐圧素子等) 小特集:3族窒化物研究の最前線)

Journal name: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 102(80) 2002.5.23

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Material Type: 記事
Title: 招待論文 AlGaN混晶の高品質化とデバイス応用
Author/Editor: 岩谷素顕
佐野智昭
寺尾真二他
Series Title: 結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子材料,太陽電池,高耐圧素子等) 小特集:3族窒化物研究の最前線
Author Heading: 岩谷素顕
佐野智昭
寺尾真二
Periodical title: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue: 102(80) 2002.5.23
Volume: 102
Issue: 80
Pages: 1～8
Publication date of volume/issue (W3CDTF): 2002-05-23
ISSN (Periodical Title): 0913-5685
ISSN-L (Periodical Title): 0913-5685
Publication (Periodical Title): 東京 : 電子情報通信学会
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
Subject Heading: 低温AlN中間層
転位
横方向成長
顕微-PL
紫外LED
LT-AlN interlayer
dislocation
lateral growth
μ-PL
UV-LED
NDLC: ZN33
Target Audience: 一般
Report No. (Article): SDM2002-13
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: Z16-940
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 6188270
http://id.ndl.go.jp/bib/6188270
Bibliographic Record Category (NDL): 632