Correspondence between Surface Morphological Faults and Crystallographic Defects in 4H-SiC Homoepitaxial Film

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Correspondence between Surface Morphological Faults and Crystallographic Defects in 4H-SiC Homoepitaxial Film

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
6357872
資料種別
記事
著者
Tatsuya Okadaほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
2002-11
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 41(11A) (通号 566) 2002.11
掲載ページ
p.6320~6326
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資料詳細

要約等:

Conventional transmission electron microscopy was applied to study the nature of crystallographic defects under some types of surface morphological fa...

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
Tatsuya Okada
Tsunenobu Kimoto
Hiroshi Noda 他
タイトル(掲載誌)
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等(掲載誌)
41(11A) (通号 566) 2002.11
掲載巻
41
掲載号
11A
掲載通号
566
掲載ページ
6320~6326