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解説 金属・半導体接合界面制御によるオーム性電極材料開発--n型GaAs化合物半導体を例として (〔日本真空協会〕関西支部企画 特集 界面制御と機能発現)

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解説 金属・半導体接合界面制御によるオーム性電極材料開発--n型GaAs化合物半導体を例として(〔日本真空協会〕関西支部企画 特集 界面制御と機能発現)

国立国会図書館請求記号
Z16-474
国立国会図書館書誌ID
6376886
資料種別
記事
著者
村上 正紀ほか
出版者
東京 : 日本真空協会
出版年
2002-11
資料形態
掲載誌名
真空 = Journal of the Vacuum Society of Japan 45(11) 2002.11
掲載ページ
p.783~790
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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
村上 正紀
守山 実希
タイトル(掲載誌)
真空 = Journal of the Vacuum Society of Japan
巻号年月日等(掲載誌)
45(11) 2002.11
掲載巻
45
掲載号
11
掲載ページ
783~790