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目次
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45(6) 2002.6
- 小特集 分子線を用いた最近の研究
p.489～507
- 局所トンネル障壁高さ計測 (小特集 分子線を用いた最近の研究)
p.503～507
- 解説 半導体環境学--GaAs成膜廃棄物からの稀少元素分別回収
p.508～513
45(7) 2002.7
- 小特集 Si(111)表面の高温におけるステップ・原子の振る舞い
p.557～589
45(8) 2002.8
- 小特集 静電吸着
p.625～660
- 解説 静電気基礎現象--静電チャックとの関係 (小特集 静電吸着)
p.626～632
- 解説 静電吸着装置の材料と方式 (小特集 静電吸着)
p.633～636
- 解説 ガラス基板用静電チャック (小特集 静電吸着)
p.637～642
- 解説 静電チャックのスパッタリングプロセスへの応用 (小特集 静電吸着)
p.643～646
45(9) 2002.9
- 平成14年度日本真空協会賞の審査経過と受賞業績紹介
p.681～686
- 解説 超高強度レーザーとプラズマの相互作用による粒子加速
p.687～692
- 中高圧力下(2～20Pa)のスパッタリングにおける粒子輸送過程
p.699～705
45(10) 2002.10
- 解説 触媒化学気相成長法によるアモルファスシリコンの成膜とデバイス応用
p.727～732
- 解説 微小電気機械システム(MEMS)技術動向
p.733～738
- ヌード型B-A真空計の生成イオンの収集効率の検討
p.745～748
- β-FeSi2薄膜の結晶構造におけるSi基板処理効果
p.749～753
45(11) 2002.11
- 〔日本真空協会〕関西支部企画 特集 界面制御と機能発現
p.763～806
45(12) 2002.12
- 小特集 陽電子消滅
p.821～845
- 解説 陽電子消滅法の最近の進歩 (小特集 陽電子消滅)
p.821～826
- 解説 半導体中格子欠陥と陽電子消滅 (小特集 陽電子消滅)
p.827～832
- 解説 陽電子誘起イオン脱離装置の開発 (小特集 陽電子消滅)
p.833～838
- 解説 電子線形加速器による低速陽電子の生成と利用 (小特集 陽電子消滅)
p.839～845
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書誌情報
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- 資料種別
- 雑誌
- タイトル
- タイトルよみ
- シンクウ
- 巻次・部編番号
- 45(6)-45(12) 20020600-20021200(総目次45巻共)
- 出版事項
- 出版年月日等
- 2002
- 出版年（W3CDTF）
- 2002
- 出版表示等に関する注記
- 1巻1号から14巻1号までの出版者: 真空協会
- 刊行巻次・年月次
- 1巻1号 - 50巻12号(2007年12月)
- 大きさ
- 30cm
- 並列タイトル等
- Journal of the Vacuum Society of Japan Journal of the Vacuum Society of JapanJournal of the Vacuum Society of Japan
- その他のタイトル
- 真空技術 シンクウ ギジュツ
- ISSN（掲載誌）
- 0559-8516
- ISSN-L（掲載誌）
- 0559-8516
- 出版地（国名コード）
- JP
- 本文の言語コード
- jpneng
- NDLC
- 一般注記
- 本タイトル等は最新号による大きさの変更あり
- 改題等に関する注記
- 合併前誌: 真空技術
- 所蔵機関
- 国立国会図書館
- 請求記号
- Z16-474
- 改題後
- 継続後 : Journal of the Vacuum Society of Japan
- 連携機関・データベース
- 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
- 書誌ID（NDLBibID）
- 000000011964
- 目録規則
- 日本目録規則1987年版改訂版