Direct Tunneling from Source to Drain in Nanometer-Scale Silicon Transistors

• 資料種別: 記事
• タイトル: Direct Tunneling from Source to Drain in Nanometer-Scale Silicon Transistors
• 著者・編者: Hisao Kawaura; Toshio Baba
• 著者標目: Hisao Kawaura; Toshio Baba
• タイトル（掲載誌）: Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
• 巻号年月日等（掲載誌）: 42(2A) (通号 570) 2003.2
• 掲載巻: 42
• 掲載号: 2A
• 掲載通号: 570
• 掲載ページ: 351～357
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2003-02
• ISSN（掲載誌）: 0021-4922
• ISSN-L（掲載誌）: 0021-4922
• 出版事項（掲載誌）: Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: EJ-MOSFET; direct SD tunneling; subthreshold swing; scaling limit; low-voltage/power operation
• NDLC: ZM35
• 対象利用者: 一般
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00002
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象
• 遠隔複写可否（NDL）: 可
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z53-A375
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11226639; https://dl.ndl.go.jp/pid/11226639
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 6450479; http://id.ndl.go.jp/bib/6450479
• 整理区分コード: 632

• 要約等: Direct tunneling from the source to the drain in a nanometer-scale silicon metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) was investigated...