Near Band Edge Non-radiative Recombination of Si Single Crystal Investigated by Piezoelectric Photothermal Spectroscopy

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Near Band Edge Non-radiative Recombination of Si Single Crystal Investigated by Piezoelectric Photothermal Spectroscopy

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
6450492
資料種別
記事
著者
Aftab A. Memonほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
2003-02
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 42(2A) (通号 570) 2003.2
掲載ページ
p.358~362
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資料詳細

要約等:

Piezoelectric photothermal spectroscopy (PPTS) measurements were conducted on p- and n-type silicon, ‹100› orientation samples. We showed that a PPTS ...

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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
Aftab A. Memon
Atsuhiko Fukuyama
Tetsuo Ikari
タイトル(掲載誌)
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等(掲載誌)
42(2A) (通号 570) 2003.2
掲載巻
42
掲載号
2A
掲載通号
570
掲載ページ
358~362