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雑誌FEDジャーナル
巻号10(1)-12(5) 19990000-20010000(Suppl.共 以後休刊)
記事Monolithic...

Monolithic integration of Si-interband tunneling diodes with a MOSFET for ultralow voltage operation static random access memory

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Monolithic integration of Si-interband tunneling diodes with a MOSFET for ultralow voltage operation static random access memory

国立国会図書館請求記号
Z16-2513
国立国会図書館書誌ID
6456053
資料種別
記事
著者
Kiyoshi Morimotoほか
出版者
東京 : 新機能素子研究開発協会
出版年
2000
資料形態
紙
掲載誌名
FEDジャーナル / 新機能素子研究開発協会 [編] 11(-) (SUPPL.) 2000
掲載ページ
p.15～20
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紙

資料種別
記事
タイトル
Monolithic integration of Si-interband tunneling diodes with a MOSFET for ultralow voltage operation static random access memory
著者・編者
Kiyoshi Morimoto
Haruyuki Sorada
Kiyoyuki Morita
著者標目
Kiyoshi Morimoto
Haruyuki Sorada
Kiyoyuki Morita
タイトル（掲載誌）
FEDジャーナル / 新機能素子研究開発協会 [編]
巻号年月日等（掲載誌）
11(-) (SUPPL.) 2000
掲載巻
11
掲載号
-
その他巻次
SUPPL
掲載ページ
15～20