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縦型CVD炉における4H-SiCエピタキシャル層の成長と電気特性 (シリコンカーバイド素子)

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縦型CVD炉における4H-SiCエピタキシャル層の成長と電気特性

(シリコンカーバイド素子)

国立国会図書館請求記号
Z16-2513
国立国会図書館書誌ID
6456083
資料種別
記事
著者
土田 秀一ほか
出版者
東京 : 新機能素子研究開発協会
出版年
2001
資料形態
掲載誌名
FEDジャーナル / 新機能素子研究開発協会 [編] 12(3) 2001
掲載ページ
p.17~20
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
土田 秀一
鎌田 功穂
シリーズタイトル
タイトル(掲載誌)
FEDジャーナル / 新機能素子研究開発協会 [編]
巻号年月日等(掲載誌)
12(3) 2001
掲載巻
12
掲載号
3
掲載ページ
17~20