低温水素イオン注入シ...

低温水素イオン注入シリコンの欠陥構造分析 (放射線とイオンビームによる物質構造の研究と改質・合成)

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低温水素イオン注入シリコンの欠陥構造分析

(放射線とイオンビームによる物質構造の研究と改質・合成)

国立国会図書館請求記号
Z16-1907
国立国会図書館書誌ID
6491945
資料種別
記事
著者
徳田 豊ほか
出版者
東京 : 東京大学原子力研究総合センター
出版年
2001
資料形態
掲載誌名
原研施設利用共同研究成果報告書 / 東京大学原子力研究総合センター [編] (通号 41) 2001年度
掲載ページ
p.26~33
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
徳田 豊
岩田 博之
高木 誠 他
タイトル(掲載誌)
原研施設利用共同研究成果報告書 / 東京大学原子力研究総合センター [編]
巻号年月日等(掲載誌)
(通号 41) 2001年度
掲載通号
41
掲載ページ
26~33
掲載年月日(W3CDTF)
2001