Dislocation reduction in GaN layer by introducing GaN-rich GaNP intermediate layers

• 資料種別: 記事
• タイトル: Dislocation reduction in GaN layer by introducing GaN-rich GaNP intermediate layers
• 著者・編者: Masashi Tsukihara; Yoshiki Naoi; Hongdong Li 他
• 著者標目: Masashi Tsukihara; Yoshiki Naoi; Hongdong Li
• タイトル（掲載誌）: Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
• 巻号年月日等（掲載誌）: 42(4A) (通号 573) 2003.4
• 掲載巻: 42
• 掲載号: 4A
• 掲載通号: 573
• 掲載ページ: 1514～1516
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2003-04
• ISSN（掲載誌）: 0021-4922
• ISSN-L（掲載誌）: 0021-4922
• 出版事項（掲載誌）: Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: GaNP; MOCVD
• NDLC: ZM35
• 対象利用者: 一般
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00002
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象
• 遠隔複写可否（NDL）: 可
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z53-A375
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11226642; https://dl.ndl.go.jp/pid/11226642
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 6507650; http://id.ndl.go.jp/bib/6507650
• 整理区分コード: 632

• 要約等: We report a new method of reducing the dislocation density in a GaN epilayer grown on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD), by i...