Impact of Hf Metal Predeposition on the Properties of HfO2 Grown by Physical and Chemical Vapor Deposition (Special Issue: Solid State Devices & Materials)

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Impact of Hf Metal Predeposition on the Properties of HfO2 Grown by Physical and Chemical Vapor Deposition(Special Issue: Solid State Devices & Materials)

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
6522920
資料種別
記事
著者
Kazuhiko Yamamotoほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
2003-04
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 42(4B) (通号 574) (Special Issue) 2003.4
掲載ページ
p.1835~1839
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資料詳細

要約等:

Electrical and microstructural properties of a hafnium oxide (HfO<SUB>2</SUB>) grown by physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition ...

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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
Kazuhiko Yamamoto
Shigenori Hayashi
Masaaki Niwa 他
タイトル(掲載誌)
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等(掲載誌)
42(4B) (通号 574) (Special Issue) 2003.4
掲載巻
42
掲載号
4B
掲載通号
574