世界で初めて製品化したSiCを使った新しい整流素子についてその特性面を中心に紹介する SiC(シリコンカーバイド)・ショットキー・ダイオード (特集1 2003年版パワー半導体デバイス活用技術--電源用IC、パワーMOSFET、IGBTからワイドバンドギャップ半導体まで)

世界で初めて製品化したSiCを使った新しい整流素子についてその特性面を中心に紹介する SiC(シリコンカーバイド)・ショットキー・ダイオード

(特集1 2003年版パワー半導体デバイス活用技術--電源用IC、パワーMOSFET、IGBTからワイドバンドギャップ半導体まで)

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資料種別: 記事
タイトル: 世界で初めて製品化したSiCを使った新しい整流素子についてその特性面を中心に紹介する SiC(シリコンカーバイド)・ショットキー・ダイオード
著者・編者: 山野修一
シリーズタイトル: 特集1 2003年版パワー半導体デバイス活用技術--電源用IC、パワーMOSFET、IGBTからワイドバンドギャップ半導体まで
著者標目: 山野修一
タイトル（掲載誌）: 電子技術
巻号年月日等（掲載誌）: 45(10) (通号 609) 2003.8
掲載巻: 45
掲載号: 10
掲載通号: 609
掲載ページ: 13～15
掲載年月日（W3CDTF）: 2003-08
ISSN（掲載誌）: 0366-8819
ISSN-L（掲載誌）: 0366-8819
出版事項（掲載誌）: 東京 : 日刊工業新聞社
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-216
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 6641648
http://id.ndl.go.jp/bib/6641648
整理区分コード: 632