世界で初めて製品化したSiCを使った新しい整流素子についてその特性面を中心に紹介する SiC(シリコンカーバイド)・ショットキー・ダイオード (特集1 2003年版パワー半導体デバイス活用技術--電源用IC、パワーMOSFET、IGBTからワイドバンドギャップ半導体まで)

世界で初めて製品化したSiCを使った新しい整流素子についてその特性面を中心に紹介する SiC(シリコンカーバイド)・ショットキー・ダイオード

(特集1 2003年版パワー半導体デバイス活用技術--電源用IC、パワーMOSFET、IGBTからワイドバンドギャップ半導体まで)

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Material Type: 記事
Title: 世界で初めて製品化したSiCを使った新しい整流素子についてその特性面を中心に紹介する SiC(シリコンカーバイド)・ショットキー・ダイオード
Author/Editor: 山野修一
Series Title: 特集1 2003年版パワー半導体デバイス活用技術--電源用IC、パワーMOSFET、IGBTからワイドバンドギャップ半導体まで
Author Heading: 山野修一
Periodical title: 電子技術
No. or year of volume/issue: 45(10) (通号 609) 2003.8
Volume: 45
Issue: 10
Sequential issue number: 609
Pages: 13～15
Publication date of volume/issue (W3CDTF): 2003-08
ISSN (Periodical Title): 0366-8819
ISSN-L (Periodical Title): 0366-8819
Publication (Periodical Title): 東京 : 日刊工業新聞社
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
NDLC: ZN33
Target Audience: 一般
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: Z16-216
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 6641648
http://id.ndl.go.jp/bib/6641648
Bibliographic Record Category (NDL): 632