電子技術

• Material Type: 雑誌
• Title: 電子技術
• Title Transcription: デンシ ギジュツ
• Volume: 45巻10号(通号609) 2003年8月
• Author Heading: 日刊工業新聞社 ニッカン コウギョウ シンブンシャ
• Publication, Distribution, etc.: 東京 : 日刊工業新聞社
• Publication Date: 2003
• Publication Date (W3CDTF): 2003
• Year and volume of publication: 1巻1号=1号(1959年6月) - 45巻12号=611号(2003年10月)
• Size: 28cm
• Alternative Title: Electronic engineering Electronic engineering
• ISSN (Periodical Title): 0366-8819
• ISSN-L (Periodical Title): 0366-8819
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• NDLC: ZN33
• Note (General): 本タイトル等は最新号による; 40巻13号以降3月毎に「高速信号処理応用技術学会誌」と合綴刊行 大きさの変更あり
• Note (Cumulative Index): 総目次・総索引あり
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: Z16-216
• Related Material: 関連資料 : 高速信号処理応用技術学会誌; https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000396759
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000015800; http://id.ndl.go.jp/bib/000000015800
• Cataloging Rule: Nippon Cataloguing Rules 1987 Revised Edition

Table of Contents

特集1 2003年版パワー半導体デバイス活用技術--電源用IC、パワーMOSFET、IGBTからワイドバンドギャップ半導体まで

特集関連インタビュー IGBT発展を支えた要因を分析、ワイドバンドギャップ半導体を含めた今後のパワーデバイスの展望を語る 高耐圧大容量分野のパワーデバイス発展を支える力/東芝 研究開発センター 中川明夫氏・四戸孝氏に聞く (特集1 2003年版パワー半導体デバイス活用技術--電源用IC、パワーMOSFET、IGBTからワイドバンドギャップ半導体まで)

SiCを中心にワイドバンドギャップ半導体を用いた次世代パワーデバイスの研究開発動向を紹介 ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイスの開発動向 (特集1 2003年版パワー半導体デバイス活用技術--電源用IC、パワーMOSFET、IGBTからワイドバンドギャップ半導体まで)

世界で初めて製品化したSiCを使った新しい整流素子についてその特性面を中心に紹介する SiC(シリコンカーバイド)・ショットキー・ダイオード (特集1 2003年版パワー半導体デバイス活用技術--電源用IC、パワーMOSFET、IGBTからワイドバンドギャップ半導体まで)

2-3年後のCPU電源は150A、1Vと言われている。これを実現するMOSFET技術を中心として解説する 低電圧大電流電源を支えるMOSFETの技術動向 (特集1 2003年版パワー半導体デバイス活用技術--電源用IC、パワーMOSFET、IGBTからワイドバンドギャップ半導体まで)