電子技術

• 資料種別: 雑誌
• タイトル: 電子技術
• タイトルよみ: デンシ ギジュツ
• 巻次・部編番号: 45巻10号(通号609) 2003年8月
• 著者標目: 日刊工業新聞社 ニッカン コウギョウ シンブンシャ
• 出版事項: 東京 : 日刊工業新聞社
• 出版年月日等: 2003
• 出版年（W3CDTF）: 2003
• 刊行巻次・年月次: 1巻1号=1号(1959年6月) - 45巻12号=611号(2003年10月)
• 大きさ: 28cm
• 並列タイトル等: Electronic engineering Electronic engineering
• ISSN（掲載誌）: 0366-8819
• ISSN-L（掲載誌）: 0366-8819
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• NDLC: ZN33
• 一般注記: 本タイトル等は最新号による; 40巻13号以降3月毎に「高速信号処理応用技術学会誌」と合綴刊行 大きさの変更あり
• 総目次・総索引注記: 総目次・総索引あり
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-216
• 関連情報: 関連資料; https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000396759
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000015800; http://id.ndl.go.jp/bib/000000015800
• 目録規則: 日本目録規則1987年版改訂版

目次

特集1 2003年版パワー半導体デバイス活用技術--電源用IC、パワーMOSFET、IGBTからワイドバンドギャップ半導体まで

特集関連インタビュー IGBT発展を支えた要因を分析、ワイドバンドギャップ半導体を含めた今後のパワーデバイスの展望を語る 高耐圧大容量分野のパワーデバイス発展を支える力/東芝 研究開発センター 中川明夫氏・四戸孝氏に聞く (特集1 2003年版パワー半導体デバイス活用技術--電源用IC、パワーMOSFET、IGBTからワイドバンドギャップ半導体まで)

SiCを中心にワイドバンドギャップ半導体を用いた次世代パワーデバイスの研究開発動向を紹介 ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイスの開発動向 (特集1 2003年版パワー半導体デバイス活用技術--電源用IC、パワーMOSFET、IGBTからワイドバンドギャップ半導体まで)

世界で初めて製品化したSiCを使った新しい整流素子についてその特性面を中心に紹介する SiC(シリコンカーバイド)・ショットキー・ダイオード (特集1 2003年版パワー半導体デバイス活用技術--電源用IC、パワーMOSFET、IGBTからワイドバンドギャップ半導体まで)

2-3年後のCPU電源は150A、1Vと言われている。これを実現するMOSFET技術を中心として解説する 低電圧大電流電源を支えるMOSFETの技術動向 (特集1 2003年版パワー半導体デバイス活用技術--電源用IC、パワーMOSFET、IGBTからワイドバンドギャップ半導体まで)