Evaluation of Band-Gap Energies and Characterization of Nonradiative Recombination Centers of Film and Bulk GaN Crystals

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Evaluation of Band-Gap Energies and Characterization of Nonradiative Recombination Centers of Film and Bulk GaN Crystals

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
6652787
資料種別
記事
著者
Masaru Kamanoほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
2003-08
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 42(8) (通号 581) 2003.8
掲載ページ
p.4905~4908
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資料詳細

要約等:

We have measured photothermal spectra of bulk and film GaN crystals by the photothermal divergence (PTD) method in the temperature range from 110 K to...

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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
Masaru Kamano
Masanobu Haraguchi
Masuo Fukui 他
タイトル(掲載誌)
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等(掲載誌)
42(8) (通号 581) 2003.8
掲載巻
42
掲載号
8
掲載通号
581
掲載ページ
4905~4908