Comparison of Silicon-on-Insulator Wafer Mappings between Photoluminescence Intensity and Microwave Photoconductivity Decay Lifetime

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Comparison of Silicon-on-Insulator Wafer Mappings between Photoluminescence Intensity and Microwave Photoconductivity Decay Lifetime

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
6857776
資料種別
記事
著者
Michio Tajimaほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
2004-02
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 43(2) (通号 588) 2004.2
掲載ページ
p.432~438
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資料詳細

要約等:

We characterized the nonuniformities of state-of-the-art ultrathin silicon-on-insulator (SOI) wafers by photoluminescence (PL) intensity mapping and m...

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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
Michio Tajima
Zhiqiang Li
Shingo Sumie 他
タイトル(掲載誌)
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等(掲載誌)
43(2) (通号 588) 2004.2
掲載巻
43
掲載号
2
掲載通号
588
掲載ページ
432~438