CH4/H2ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ

• 資料種別: 記事
• タイトル: CH4/H2ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ
• 著者・編者: 八木 英樹; 佐野 琢哉; Dhanorm Plumwongrot 他
• シリーズタイトル: 特集:量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般
• 著者標目: 八木 英樹; 佐野 琢哉; Dhanorm Plumwongrot
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 104(161) 2004.7.2
• 掲載巻: 104
• 掲載号: 161
• 掲載ページ: 1～6
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2004-07-02
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: GaInAsP/InP; 歪補償量子井戸; Ch4/H2-RIE; OMVPE再成長; Quantum-Wire Laser; Strain-Compensated Quantum-Well; OMVPE Regrowth
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: OPE2004-18
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 7068240; http://id.ndl.go.jp/bib/7068240
• 整理区分コード: 632