CH4/H2ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ (特集:量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)

CH4/H2ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ

(特集:量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)

Journal name: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 104(161) 2004.7.2

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Material Type: 記事
Title: CH4/H2ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ
Author/Editor: 八木英樹
佐野琢哉
Dhanorm Plumwongrot 他
Series Title: 特集:量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般
Author Heading: 八木英樹
佐野琢哉
Dhanorm Plumwongrot
Periodical title: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue: 104(161) 2004.7.2
Volume: 104
Issue: 161
Pages: 1～6
Publication date of volume/issue (W3CDTF): 2004-07-02
ISSN (Periodical Title): 0913-5685
ISSN-L (Periodical Title): 0913-5685
Publication (Periodical Title): 東京 : 電子情報通信学会
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
Subject Heading: GaInAsP/InP
歪補償量子井戸
Ch4/H2-RIE
OMVPE再成長
Quantum-Wire Laser
Strain-Compensated Quantum-Well
OMVPE Regrowth
NDLC: ZN33
Target Audience: 一般
Report No. (Article): OPE2004-18
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: Z16-940
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 7068240
http://id.ndl.go.jp/bib/7068240
Bibliographic Record Category (NDL): 632