Technological Breakthroughs in Growth Control of Silicon Carbide for High Power Electronic Devices

• 資料種別: 記事
• タイトル: Technological Breakthroughs in Growth Control of Silicon Carbide for High Power Electronic Devices
• 著者・編者: Hiroyuki Matsunami
• 著者標目: Hiroyuki Matsunami
• タイトル（掲載誌）: Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
• 巻号年月日等（掲載誌）: 43(10) (通号 602) 2004.10
• 掲載巻: 43
• 掲載号: 10
• 掲載通号: 602
• 掲載ページ: 6835～6847
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2004-10
• ISSN（掲載誌）: 0021-4922
• ISSN-L（掲載誌）: 0021-4922
• 出版事項（掲載誌）: Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: SiC; Epitaxial growth; Step-controlled epitaxy; Bulk growth; Ion implantation; MOS interface; Ohmic contacts; Schottky diodes; Power electronic devices
• NDLC: ZM35
• 対象利用者: 一般
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00002
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象
• 遠隔複写可否（NDL）: 可
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z53-A375
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11226674; https://dl.ndl.go.jp/pid/11226674
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 7123909; http://id.ndl.go.jp/bib/7123909
• 整理区分コード: 632

• 要約等: Technological breakthroughs in growth control of SiC are reviewed. Step-controlled epitaxy by using off-axis SiC {0001} substrates to grow high-qualit...