Inteface Trap Generation Induced by Charge Pumping Current under Dynamic Oxide Field Stresses

• 資料種別: 記事
• タイトル: Inteface Trap Generation Induced by Charge Pumping Current under Dynamic Oxide Field Stresses
• 著者・編者: Shiyang Zhu; 中島 安理; 大橋 拓夫 他
• 著者標目: Shiyang Zhu; 中島 安理; 大橋 拓夫
• 並列タイトル等: ダイナミック酸化膜電界ストレス下でのチャージポンピング電流に起因する界面トラップ形成
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 105(109) 2005.6.10
• 掲載巻: 105
• 掲載号: 109
• 掲載ページ: 17～22
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2005-06-10
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: MOSFET; 信頼性; ダイナミックストレス; SiON; Reliability; Dynamic stress
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SDM2005-73
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 7367750; http://id.ndl.go.jp/bib/7367750
• 整理区分コード: 632