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Growth and Chractertics of GaN Film on Thin AlN/(0001) Sapphire Template Layer via Direct Reaction of Gallium and Ammonia

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Growth and Chractertics of GaN Film on Thin AlN/(0001) Sapphire Template Layer via Direct Reaction of Gallium and Ammonia

国立国会図書館請求記号
Z54-J337
国立国会図書館書誌ID
7989413
資料種別
記事
著者
Fawang Yanほか
出版者
Tokyo : Japan Society of Applied Physics
出版年
2006-07
資料形態
紙
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters & express letters 45(24-28) (通号 443) 2006.7
掲載ページ
p.L697～700
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紙

資料種別
記事
タイトル
Growth and Chractertics of GaN Film on Thin AlN/(0001) Sapphire Template Layer via Direct Reaction of Gallium and Ammonia
著者・編者
Fawang Yan
Katsushi Nishino
Shiro Sakai
著者標目
Fawang Yan
Katsushi Nishino
Shiro Sakai
タイトル（掲載誌）
Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters & express letters
巻号年月日等（掲載誌）
45(24-28) (通号 443) 2006.7
掲載巻
45
掲載号
24-28
掲載通号
443
掲載ページ
L697～700